Ionizing radiation detectors, Nuclear particles and X-rays | フォトダイオード/ディテクター

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更新日 2012-05-07 | 作成日 2007-12-14

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Ionizing radiation detectors

Nuclear particles and X-rays can be detected with silicon either directly via absorption within the crystal lattice or indirectly via scintillators. For the absorption mode to be efficient requires a large absorptive volume. This capability is achieved by Silicon Sensor’s superior wafer fabrication processing that produces detectors that can be operated at bias voltages that produce fully depleted active regions but still maintain extremely low dark currents.

Special Features

* Wafer thickness up to 780 µm
* Very low dark signals
* Very low capacitances
* Smallest series resistance at full depletion

Ionizing radiation detectors仕様

Order
#
Chip Pack
-age
Active
Area
Size
(mm)
Area
(mm2)
Dark curr.
(nA)
Cap.
(pF)
Gamma
energy
(keV)
Scint-
illator
CsI (TI)
γ-
window
Data
sheet
501901 X0.5-γ TO8S phi 0.8 0.5 0.005 0.2 >1 no phi
6 mm
-
501902 X1.8-γ TO8S phi1.5 1.8 0.01 0.5 >1 no phi
6 mm
-
501903 X5-γ TO8S phi 2.52 5 0.01 2.5 >1 no phi
6 mm
DL
501904 X10-γ TO8S phi 3.75 10 0.02 4.5 >1 no phi
6 mm
DL
501900 X10-γ TO8S Sc phi 3.75 10 0.02 4.5 2…
>1000
yes phi
6 mm
DL
501907 X10-6 TO39 phi 3.57 10 0.5 18 >5 no epoxy
dome
DL
501401 X100-7 LCC10 10x10 100 5 80 >5 no black
epoxy
DL
501400 X100-7 CerPin 10x10 100 5 80 >5 no black
epoxy
DL


*...仕様は予告無く変更することがあります。